Attuale stato di sviluppo tecnologico di taglienti di wafer da 6 pollici nel settore manifatturiero dei chip a semiconduttore

2025-06-17

Nel settore della produzione di chip a semiconduttore, il dado di wafer è un processo critico che separa numerosi chip su un wafer in singole unità. Con il continuo avanzamento della tecnologia dei semiconduttori, si sono anche evolute le tecniche di dottising wafer da 6 pollici per soddisfare le crescenti esigenze del mercato e le sfide tecniche.

 

 

Sfide che devono affrontare le tradizionali tecnologie di cucina:

I metodi convenzionali di calcio meccanico, come quelli che utilizzano lame rivestite di diamanti, presentano alcune limitazioni in dadi da 6 pollici. A causa delle dimensioni relativamente più grandi di wafer da 6 pollici, l'usura della lama accelera durante i tassati, le velocità di taglio sono più lente e i bordi dei chip sono inclini a scheggiature e delaminazione. Questi problemi sono particolarmente pronunciati per materiali più duri, come i wafer di carburo di silicio (SIC).

 

Emergence di tecnologie di cucina laser:

Per affrontare le carenze dei metodi tradizionali, i tassati laser sono diventati gradualmente una soluzione chiave per il dado di wafer da 6 pollici.

Ablazione laser: questa tecnica utilizza un raggio laser focalizzato per vaporizzare il materiale e formare scanalature da taglio, ma può generare una zona più grande colpita dal calore (HAZ), microcrack e potenziali danni al nastro blu del wafer.

 

Dinging laser guidato dall'acqua a getto d'acqua: dirigendo l'energia laser attraverso un flusso d'acqua, questo metodo consente un taglio preciso raffreddando efficacemente l'area del dazio, riducendo la deformazione termica e il danno e migliorando la velocità di taglio.

 

 

Stealth Dinging (SD): questa tecnologia forma strati modificati all'interno del wafer tramite irradiazione laser, consentendo la separazione ad alta precisione senza superficie. Migliora significativamente la resa e le prestazioni del chip.

 

Separazione del laser termico (TLS): sfruttare lo stress termico indotto dal laser e il raffreddamento rapido, TLS guida la separazione del wafer pulito con vantaggi come alta velocità e strade più strette.

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